SI4431BDY-T1-E3 Транзистор: P-MOSFET; униполарен; -30V; -5,7A; Idm: -30A; 0,9W; SO8
Арт.№: SI4431BDY SO-8
1 от 1
Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
3.30
лв.
/
1.69
€
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти
Информация
SI4431BDY-T1-E3 Транзистор: P-MOSFET; униполарен; -30V; -5,7A; Idm: -30A; 0,9W; SO8
Производител
VISHAY
Тип транзистор
P-MOSFET
Поляризация
униполарен
Напрежение дрейн - сорс
-30V
Ток на дрейна
-5.7A
Ток на дрейна при импулс
-30A
Разсейвана мощност
0.9W
Кутия
SO8
Напрежение гейт-сорс
±20V
Съпротивление във включено състояние
30mΩ
Монтаж
SMD
Заряд на гейта
20nС
Вид опаковане
лента,
ролка
Вид на канала
обoгатяване
Допълнителни информации
Бруто тегло: 0.025 g
Означение на производителя: SI4431BDY-T1-E3
Производител
VISHAY
Тип транзистор
P-MOSFET
Поляризация
униполарен
Напрежение дрейн - сорс
-30V
Ток на дрейна
-5.7A
Ток на дрейна при импулс
-30A
Разсейвана мощност
0.9W
Кутия
SO8
Напрежение гейт-сорс
±20V
Съпротивление във включено състояние
30mΩ
Монтаж
SMD
Заряд на гейта
20nС
Вид опаковане
лента,
ролка
Вид на канала
обoгатяване
Допълнителни информации
Бруто тегло: 0.025 g
Означение на производителя: SI4431BDY-T1-E3
