NTE27C1001-12D Памет EPROM; паралелен; Монтаж: THT; -40?125°C; Кут: DIP32; 5V; 35ns
Арт.№: NTE27C1001-12D

1 от 1

Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
19.20
лв.
Валидност на промоцията
до
Налично
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
NTE27C1001-12D Памет EPROM; паралелен; Монтаж: THT; -40÷125°C; Кут: DIP32; 5V; 35ns
Производител NTE Electronics
Тип интегрална схема памет EPROM
Вид интерфейс паралелен
Вид памет EPROM UV
Монтаж THT
Работна температура -40...125°C
Кутия DIP32
Обем на паметта 1Mbit
Организация на паметта 128kx8bit
Време за достъп 35ns
Работно напрежение 5V Допълнителни информации
Бруто тегло: 12.1 g
Означение на производителя: NTE27C1001-12D
Производител NTE Electronics
Тип интегрална схема памет EPROM
Вид интерфейс паралелен
Вид памет EPROM UV
Монтаж THT
Работна температура -40...125°C
Кутия DIP32
Обем на паметта 1Mbit
Организация на паметта 128kx8bit
Време за достъп 35ns
Работно напрежение 5V Допълнителни информации
Бруто тегло: 12.1 g
Означение на производителя: NTE27C1001-12D