IRFD110PBF Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 100V; 0,71A; 1,3W; DIP4
Арт.№: IRFD110PBF УНИПОЛАРЕН 100V 0,71A 1,3W DIP4

1 от 1

Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
2.10
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
IRFD110PBF Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 100V; 0,71A; 1,3W; DIP4
Производител VISHAY
Тип транзистор N-MOSFET
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 100V
Ток на дрейна 0.71A
Мощност 1.3W
Кутия DIP4
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 0.54?
Монтаж THT
Заряд на гейта 8.3nС Допълнителни информации
Бруто тегло: 0.31 g
Производител VISHAY
Тип транзистор N-MOSFET
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 100V
Ток на дрейна 0.71A
Мощност 1.3W
Кутия DIP4
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 0.54?
Монтаж THT
Заряд на гейта 8.3nС Допълнителни информации
Бруто тегло: 0.31 g