IRFB4710PBF ранзистор: N-MOSFET; униполарен; 100V; 75A; 200W; TO220AB; HEXFET®
Арт.№: IRFB4710PBF N-MOSFET 100V 75A 200W TO220AB
Принтирай
1 от 1
Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
3.68
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти
Информация
IRFB4710PBF ранзистор: N-MOSFET; униполарен; 100V; 75A; 200W; TO220AB; HEXFET®
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 100V
Ток на дрейна 75A
Мощност 200W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 14m?
Термично съпротивление преход-кутия 0.75K/W
Монтаж THT
Заряд на гейта 110nС
Технология HEXFET® Допълнителни информации
Бруто тегло: 1.96 g
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 100V
Ток на дрейна 75A
Мощност 200W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 14m?
Термично съпротивление преход-кутия 0.75K/W
Монтаж THT
Заряд на гейта 110nС
Технология HEXFET® Допълнителни информации
Бруто тегло: 1.96 g
