IRF8313TRPBF Транзистор N-MOSFET x2 униполарен 30V 9,7A 2W SO8
Арт.№: IRF8313TRPBF
.jpg)
1 от 1
.jpg)
Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
1.90
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
IRF8313TRPBF
Транзистор: N-MOSFET x2; униполарен; 30V; 9,7A; 2W; SO8
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET x2
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 30V
Ток на дрейна 9.7A
Разсейвана мощност 2W
Кутия SO8
Монтаж SMD
Вид опаковане ролка
Вид на канала обoгатяване Допълнителни информации
Бруто тегло: 430 mg
Означение на производителя: IRF8313TRPBF
Транзистор: N-MOSFET x2; униполарен; 30V; 9,7A; 2W; SO8
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET x2
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 30V
Ток на дрейна 9.7A
Разсейвана мощност 2W
Кутия SO8
Монтаж SMD
Вид опаковане ролка
Вид на канала обoгатяване Допълнителни информации
Бруто тегло: 430 mg
Означение на производителя: IRF8313TRPBF