IRF7314PBF SO8 SPM8M3 IRF7314PBF Транзистор: P-MOSFET, dual; -20V; -5,3A
Арт.№: IRF7314PBF SPM8M3

1 от 1

Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
2.44
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
IRF7314PBF Транзистор: P-MOSFET, dual; -20V; -5,3A; 2W; SO8 SPM8M3 СпецификацияТип транзистор P-MOSFET, dual
Напрежение дрейн - сорс -20V
Ток на дрейна -5.3A
Мощност 2W
Корпус SO8
Напрежение гейт-сорс 12V
Съпротивление във включено състояние 58m?
Термично съпротивление преход-околна среда 62.5K/W
Монтаж SMD
Заряд на гейта 19nС
Допълнителни информацииБруто тегло:0.18 g
Cборни опаковки [pcs]:3135
Напрежение дрейн - сорс -20V
Ток на дрейна -5.3A
Мощност 2W
Корпус SO8
Напрежение гейт-сорс 12V
Съпротивление във включено състояние 58m?
Термично съпротивление преход-околна среда 62.5K/W
Монтаж SMD
Заряд на гейта 19nС
Допълнителни информацииБруто тегло:0.18 g
Cборни опаковки [pcs]:3135