IRF7304PBF Транзистор: P-MOSFE IRF7304PBF Транзистор: P-MOSFET x2; униполарен; HE
Арт.№: IRF7304PBF ТРАНЗИСТОР: P-MOSFE

1 от 1

Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
1.25
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
IRF7304PBF Транзистор: P-MOSFET x2; униполарен; HEXFET; -20V; -4,3A; 2W; SO8 8 Производител INTERNATIONAL RECTIFIER
Тип транзистор P-MOSFET x2
Поляризация униполарен
Тип транзистор HEXFET
Напрежение дрейн - сорс -20V
Ток на дрейна -4.3A
Мощност 2W
Кутия SO8
Напрежение гейт-сорс 12V
Съпротивление във включено състояние 90m?
Термично съпротивление преход-околна среда 62.5K/W
Монтаж SMD
Заряд на гейта 14.7nС
Допълнителни информации
•Бруто тегло: 0.2 g
•Cборни опаковки [pcs]: 570
Тип транзистор P-MOSFET x2
Поляризация униполарен
Тип транзистор HEXFET
Напрежение дрейн - сорс -20V
Ток на дрейна -4.3A
Мощност 2W
Кутия SO8
Напрежение гейт-сорс 12V
Съпротивление във включено състояние 90m?
Термично съпротивление преход-околна среда 62.5K/W
Монтаж SMD
Заряд на гейта 14.7nС
Допълнителни информации
•Бруто тегло: 0.2 g
•Cборни опаковки [pcs]: 570