IRF630 Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 200V; 5,7A; 75W; TO220-3
Арт.№: IRF630 N-MOSFET 200V 5,7A 75W TO220-3

1 от 1

Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
1.28
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
IRF630 Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 200V; 5,7A; 75W; TO220-3
Производител STMicroelectronics
Тип транзистор N-MOSFET
Технология SuperMesh™
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 200V
Ток на дрейна 5.7A
Разсейвана мощност 75W
Кутия TO220-3
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 400mΩ
Монтаж THT
Вид опаковане туба
Вид на канала обoгатяване
Свойства на полупроводниковите елементи ESD protected gate Допълнителни информации
Бруто тегло: 1.95 g
Означение на производителя: IRF630
Производител STMicroelectronics
Тип транзистор N-MOSFET
Технология SuperMesh™
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 200V
Ток на дрейна 5.7A
Разсейвана мощност 75W
Кутия TO220-3
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 400mΩ
Монтаж THT
Вид опаковане туба
Вид на канала обoгатяване
Свойства на полупроводниковите елементи ESD protected gate Допълнителни информации
Бруто тегло: 1.95 g
Означение на производителя: IRF630