IRF610PBF Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 200V; 2,1A; 36W; TO220AB
Арт.№: IRF610PBF N-MOSFET 200V 2,1A 36W TO220AB
.jpg)
1 от 1
.jpg)
Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
0.90
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
IRF610PBF Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 200V; 2,1A; 36W; TO220AB
Производител VISHAY
Тип транзистор N-MOSFET
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 200V
Ток на дрейна 2.1A
Разсейвана мощност 36W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 1.5Ω
Монтаж THT
Заряд на гейта 8,2nС
Вид опаковане туба
Вид на канала обoгатяване Допълнителни информации
Бруто тегло: 1.983 g
Означение на производителя: IRF610PBF
Производител VISHAY
Тип транзистор N-MOSFET
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 200V
Ток на дрейна 2.1A
Разсейвана мощност 36W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 1.5Ω
Монтаж THT
Заряд на гейта 8,2nС
Вид опаковане туба
Вид на канала обoгатяване Допълнителни информации
Бруто тегло: 1.983 g
Означение на производителя: IRF610PBF