IRF1010EPBF Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Арт.№: IRF1010EPBF 60V 81A 170W TO220AB
1 от 1
Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
1.90
лв.
Валидност на промоцията
до
Налично
Добави в любими
Твоите любими продукти
Информация
IRF1010EPBF Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 60V
Ток на дрейна 81A
Разсейвана мощност 170W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 12mΩ
Монтаж THT
Заряд на гейта 86.6nС
Вид опаковане туба Допълнителни информации
Бруто тегло: 1.98 g
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 60V
Ток на дрейна 81A
Разсейвана мощност 170W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 12mΩ
Монтаж THT
Заряд на гейта 86.6nС
Вид опаковане туба Допълнителни информации
Бруто тегло: 1.98 g
