IPB090N06N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Арт.№: IPB090N06N3GATMA1

1 от 1

Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
3.00
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
IPB090N06N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Производител INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистор N-MOSFET
Технология OptiMOS™ 3
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 60V
Ток на дрейна 50A
Разсейвана мощност 71W
Кутия PG-TO263-3
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 9mΩ
Монтаж SMD Допълнителни информации
Бруто тегло: 2.113 g
Производител INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистор N-MOSFET
Технология OptiMOS™ 3
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 60V
Ток на дрейна 50A
Разсейвана мощност 71W
Кутия PG-TO263-3
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 9mΩ
Монтаж SMD Допълнителни информации
Бруто тегло: 2.113 g