IPB015N04NGATMA1 Транзистор N-MOSFET униполарен 40V 120A 250W PG-TO263-3
Арт.№: IPB015N04NGATMA1 N-MOSFET 40V 120A 250W PG-TO263-3

1 от 1

Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
6.90
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
IPB015N04NGATMA1 Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Производител
INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистор
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Поляризация
униполарен
Напрежение дрейн - сорс
40V
Ток на дрейна
120A
Разсейвана мощност
250W
Кутия
PG-TO263-3
Напрежение гейт-сорс
±20V
Съпротивление във включено състояние
1.5mΩ
Монтаж
SMD
Вид на канала
обoгатяване
Допълнителни информации
Бруто тегло: 0.5 g
Означение на производителя: IPB015N04NGATMA1
Производител
INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистор
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Поляризация
униполарен
Напрежение дрейн - сорс
40V
Ток на дрейна
120A
Разсейвана мощност
250W
Кутия
PG-TO263-3
Напрежение гейт-сорс
±20V
Съпротивление във включено състояние
1.5mΩ
Монтаж
SMD
Вид на канала
обoгатяване
Допълнителни информации
Бруто тегло: 0.5 g
Означение на производителя: IPB015N04NGATMA1