FQP13N50 Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 500V; 7,9A; 170W; TO220AB
Арт.№: FQP13N50 500V 7,9A 170W TO220AB
.jpg)
1 от 1
.jpg)
Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
4.80
лв.
Валидност на промоцията
до
Налично
Добави в любими
Твоите любими продукти Информация
FQP13N50 Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 500V; 7,9A; 170W; TO220AB
Производител ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология QFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 500V
Ток на дрейна 7.9A
Разсейвана мощност 170W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±30V
Съпротивление във включено състояние 430mΩ
Монтаж THT
Заряд на гейта 60nС
Вид опаковане туба
Вид на канала обoгатяване Допълнителни информации
Бруто тегло: 2.057 g
Производител ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология QFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 500V
Ток на дрейна 7.9A
Разсейвана мощност 170W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±30V
Съпротивление във включено състояние 430mΩ
Монтаж THT
Заряд на гейта 60nС
Вид опаковане туба
Вид на канала обoгатяване Допълнителни информации
Бруто тегло: 2.057 g