FQD19N10LTM Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 100V; 9,8A; 50W; DPAK
Арт.№: FQD19N10LTM
1 от 1
Поставените снимки са с илюстративен характер. В действителност продуктът може да се отличава външно, като това не променя функционалността и характеристиките на изделието.
ППЦ:
лв.
лв.
3.50
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Добави в любими
Твоите любими продукти
Информация
FQD19N10LTM Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 100V; 9,8A; 50W; DPAK
Производител
ONSEMI
Тип транзистор
N-MOSFET
Технология
QFET®
Поляризация
униполарен
Напрежение дрейн - сорс
100V
Ток на дрейна
9,8A
Разсейвана мощност
50W
Кутия
DPAK
Напрежение гейт-сорс
±20V
Съпротивление във включено състояние
0,11Ω
Монтаж
SMD
Заряд на гейта
18nС
Вид опаковане
лента, ролка
Вид на канала
обoгатяване
Бруто тегло
0.362 g
Производител
ONSEMI
Тип транзистор
N-MOSFET
Технология
QFET®
Поляризация
униполарен
Напрежение дрейн - сорс
100V
Ток на дрейна
9,8A
Разсейвана мощност
50W
Кутия
DPAK
Напрежение гейт-сорс
±20V
Съпротивление във включено състояние
0,11Ω
Монтаж
SMD
Заряд на гейта
18nС
Вид опаковане
лента, ролка
Вид на канала
обoгатяване
Бруто тегло
0.362 g
